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一种制备氮化物单晶衬底的氢化物气相外延装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  段瑞飞;  刘喆;  钟兴儒;  魏同波;  马平;  王军喜;  曾一平;  李晋闽
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei TB;  Duan RF;  Wang JX;  Li JM;  Huo ZQ;  Ma P;  Liu Z;  Zeng YP;  Wei, TB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: tbwei@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei TB;  Ma P;  Duan RF;  Wang JX;  Li JM;  Liu Z;  Zeng YP;  Wei, TB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: tbwei@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei TB;  Duan RF;  Wang JX;  Li JM;  Huo ZQ;  Ma P;  Liu Z;  Zeng YP;  Wei, TB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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制造厚膜氮化物材料的氢化物气相外延装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘喆;  王军喜;  钟兴儒;  李晋闽;  曾一平;  段瑞飞;  马平;  魏同波;  林郭强
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