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基于GaAs(001)衬底的CdTe缓冲层和HgTe多层膜的分子束外延生长及其运输行为 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:  余之峰
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垂直易磁化偏学计量比Co2MnAl薄膜磁性及输运行为 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2019
作者:  余之峰
Adobe PDF(4884Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:499/6  |  提交时间:2019/11/19
无权访问的条目 期刊论文
作者:  X. P. Zhao;   J. Lu;   S. W. Mao;   Z. F. Yu;   D. H. Wei;   J. H. Zhao
Adobe PDF(1696Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:49/0  |  提交时间:2020/07/31
无权访问的条目 期刊论文
作者:  L. Hu;  L. Q. Yu;  P. Xiong;  X. L. Wang;  J. H. Zhao;  L. F. Wang;  Z. Huang;  W. B. Wu
Adobe PDF(2064Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:102/0  |  提交时间:2019/11/18
无权访问的条目 期刊论文
作者:  X. P. Zhao;   J. Lu;   S. W. Mao;   Z. F. Yu;   D. H. Wei;   J. H. Zhao
Adobe PDF(925Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:105/0  |  提交时间:2019/11/18
无权访问的条目 期刊论文
作者:  X P Zhao;  J Lu;  S W Mao;  Z F Yu;  H L Wang;  X L Wang;  D H Wei;  J H Zhao1
Adobe PDF(789Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:132/1  |  提交时间:2018/07/02
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Konthasinghe, K.;  Peiris, M.;  Yu, Y.;  Li, M. F.;  He, J. F.;  Wang, L. J.;  Ni, H. Q.;  Niu, Z. C.;  Shih, C. K.;  Muller, A.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Konthasinghe K (Konthasinghe, K.);  Peiris M (Peiris, M.);  Yu Y (Yu, Y.);  Li MF (Li, M. F.);  He JF (He, J. F.);  Wang LJ (Wang, L. J.);  Ni HQ (Ni, H. Q.);  Niu ZC (Niu, Z. C.);  Shih CK (Shih, C. K.);  Muller A (Muller, A.)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  付秋瑜;  林清宇;  张万成;  吴南健
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在衬底上生长异变缓冲层的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102194671A, 公开日期: 2012-08-29, 2011-09-21, 2012-08-29
发明人:  贺继方;  尚向军;  倪海桥;  王海莉;  李密峰;  朱岩;  王莉娟;  喻颖;  贺正宏;  徐应强;  牛智川
Adobe PDF(309Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1462/245  |  提交时间:2012/08/29