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| 高电压偏置PMOS电流源电路 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 倪卫宁; 袁凌; 石寅
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| 以原位垂直超晶格为模板定位生长量子线或点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王元立; 吴巨; 金鹏 ; 叶小玲; 张春玲; 黄秀颀; 陈涌海; 王占国
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| 在非极性蓝宝石衬底上生长水平排列氧化锌纳米线的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102191540A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 桑玲; 王俊; 魏鸿源; 焦春美; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国
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| 一种微机械谐振器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-04
发明人: 杨晋玲; 赵晖; 骆伟; 袁泉; 杨富华
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| 一种在蓝宝石衬底上生长自剥离氮化镓薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-26
发明人: 王建霞; 李志伟; 赵桂娟; 桑玲; 刘长波; 魏鸿源; 焦春美; 杨少延; 刘祥林; 朱勤生; 王占国
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| 一种生长富In组分非极性A面InGaN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-12
发明人: 赵桂娟; 李志伟; 桑玲; 刘贵鹏; 刘长波; 谷承艳; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国
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| 利用InN纳米棒作为形核层生长单晶GaN纳米管的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-12
发明人: 刘长波; 赵桂娟; 桑玲; 王建霞; 魏鸿源; 焦春美; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国
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| 栅压自举开关电路 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-19
发明人: 马波; 袁凌; 曹晓东; 张强; 郝志坤; 石寅
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| 频率可调的MEMS谐振器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-10-02
发明人: 骆伟; 赵晖; 袁泉; 杨晋玲; 杨富华
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| 制备非极性A面GaN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-01-30
发明人: 刘建明; 桑玲; 赵桂娟; 刘长波; 王建霞; 魏鸿源; 焦春美; 刘祥林; 杨少延; 王占国
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