中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助

限定条件                
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
无权访问的条目 学位论文
作者:  赵方圆
Adobe PDF(8763Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：9/1  |  提交时间：2021/06/16
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Z. Fu;  Z. G. Yin;  X. W. Zhang;  N. F. Chen;  Y. J. Zhao;  Y. M. Bai;  D. Y. Zhao;  H. F. Zhang;  Y. D. Yuan;  Y. N. Chen;  J. L. Wu;  J. B. You
Adobe PDF(2138Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：157/0  |  提交时间：2018/05/30
缓解MOCVD工艺中硅衬底与氮化镓薄膜间应力的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-06-11
发明人:  冯玉霞;  杨少延;  魏鸿源;  焦春美;  孔苏苏
Adobe PDF(1519Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：625/69  |  提交时间：2014/11/24
利用硅衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管器件的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-03-12
发明人:  杨少延;  冯玉霞;  魏鸿源;  焦春美;  赵桂娟;  汪连山;  刘祥林;  王占国
Adobe PDF(1180Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：675/90  |  提交时间：2014/11/05
半极性面氮化镓基发光二极管及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人:  项若飞;  汪连山;  赵桂娟;  金东东;  王建霞;  李辉杰;  张恒;  冯玉霞;  焦春美;  魏鸿源;  杨少延;  王占国
Adobe PDF(1070Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：652/1  |  提交时间：2016/09/12
一种氮化铝一维纳米结构材料的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:  孔苏苏;  李辉杰;  冯玉霞;  赵桂娟;  魏鸿源;  杨少延;  王占国
Adobe PDF(1285Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：526/3  |  提交时间：2016/08/30