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| 氮化硼点缺陷压力光谱及InAs单量子点单轴应力光谱研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2020
作者: 赵晓宇
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 赵懿昊 ; 王俊; 王翠鸾; 刘素平; 马骁宇
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 王黎; 孙瑜; 赵晓凡; 娄采云; 陆丹; 赵玲娟; 王圩
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 陈燕; 邓爱红; 赵有文; 张英杰; 余鑫祥; 喻菁; 龙娟娟; 周宇璐; 张丽然
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhang S (Zhang Shuang); Zhao DG (Zhao De-Gang); Liu ZS (Liu Zong-Shun); Zhu JJ (Zhu Jian-Jun); Zhang SM (Zhang Shu-Ming); Wang YT (Wang Yu-Tian); Duan LH (Duan Li-Hong); Liu WB (Liu Wen-Bao); Jiang DS (Jiang De-Sheng); Yang H (Yang Hui); Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: dgzhao@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 冉启江; 韩培德; 全宇军; 高利朋; 曾凡平; 赵春华
Adobe PDF(455Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1321/376 | 提交时间：2010/11/23 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 黄振; 于斌; 赵国忠; 张存林; 崔利杰; 曾一平
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| 一种SiGe弛豫衬底材料及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 赵雷; 左玉华; 王启明
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| 一种硅基电光材料 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 赵雷; 左玉华; 王启明
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 占荣; 赵有文; 于会永; 高永亮; 惠峰
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