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| 一种绝缘体上的硅基槽缝式光波导耦合器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-10, 公开日期: 3997
发明人: 刘 艳; 余金中
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| 利用准分子激光退火制作SiGe或Ge量子点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-03-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 韩根全; 曾玉刚; 余金中
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| 利用UHV/CVD低温生长SiGe材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-03-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 韩根全; 曾玉刚; 余金中
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| High-Q and High-extinction-ratio Microdisk Add-drop Filter with Grating Couplers in Silicon-on-Insulator 会议论文
, Shanghai, PEOPLES R CHINA, AUG 30-SEP 03, 2009
作者: Li YT (Li Yuntao); Xiao X (Xiao Xi); Huang QZ (Huang Qingzhong); Li ZY (Li Zhiyong); Yu YD (Yu Yude); Yu JZ (Yu Jinzhong); Li, YT, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Huang, QZ; Yu, YD; Yu, JZ; Yu, JZ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jzyu@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Yu HJ; Yu JZ; Yu YD; Chen SW; Yu HJ Beijing Univ Posts & Telecommun Minist Educ Key Lab Opt Commun & Lightwave Technol Beijing 100876 Peoples R China.
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Xu XJ; Chen SW; Xu HH; Sun Y; Yu YD; Yu JZ; Wang QM; Xu XJ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: xjxu@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Liu Y; Li Y ; Fan ZC; Xing B; Yu YD; Yu JZ; Liu Y Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: liuyan@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhou B; Pan SW; Chen SY; Li C; Lai HK; Yu JZ; Zhu XF; Chen SY Xiamen Univ Dept Phys Semicond Photon Res Ctr Xiamen 361005 Fujain Peoples R China. E-mail Address: sychen@xmu.edu.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Ding WC; Liu Y; Zhang Y; Guo JC; Zuo YH; Cheng BW; Yu JZ; Wang QM; Ding WC Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: wcd04@semi.ac.cn
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