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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu Y;  Li Y;  Fan ZC;  Xing B;  Yu YD;  Yu JZ;  Liu Y Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: liuyan@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou W;  Yang JL;  Li Y;  Ji A;  Yang FH;  Yu YD;  Yang JL Chinese Acad Sci Inst Semicond Qinghua Donglu A 35 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: jlyang@semi.ac.cn
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低损伤PECVD沉积致密SiO2的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈宇;  王良臣;  伊晓燕;  李艳
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