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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: You JB ; Zhang XW; Song HP; Ying J; Guo Y; Yang AL; Yin ZG; Chen NF; Zhu QS; You JB Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: jbyou@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 杨淑英; 安俊明
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 杨淑英; 安俊明; 李俊一
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 王宝瑞; 孙征; 徐仲英; 孙宝权; 姬扬; Z. M. Wang; G. J. Salamo
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 王宝瑞; 孙征; 徐仲英; 孙宝权; 姬扬; Z.M.Wang; G.J.Salamo
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Yang Xiang; Han Weihua; Wang Ying; Zhang Yang; Yang Fuhua
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| 采用干法刻蚀技术实现RTD与HEMT单片集成的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-10-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 马龙; 杨富华; 王良臣; 黄应龙
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Sun Z (Sun Zheng); Xu ZY (Xu Zhong-Ying); Ruan XZ (Ruan Xue-Zhong); Ji Y (Ji Yang); Sun BQ (Sun Bao-Quan); Ni HQ (Ni Hai-Qiao); Sun, Z, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: sz3288@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 孙征; 徐仲英; 阮学忠; 姬扬; 孙宝权; 倪海桥
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| 共振遂穿二极管与高电子迁移率晶体管器件制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 黄应龙; 杨富华; 王良臣; 王建林; 伊小燕; 马龙
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