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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Fu YC (Fu Ying-Chun); Wang XF (Wang Xiao-Feng); Fan ZC (Fan Zhong-Chao); Yang X (Yang Xiang); Bai YX (Bai Yun-Xia); Zhang JY (Zhang Jia-Yong); Ma HL (Ma Hui-Li); Ji A (Ji An); Yang FH (Yang Fu-Hua)
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhang YB (Zhang Yanbo); Xiong Y (Xiong Ying); Yang XA (Yang Xiang); Wang Y (Wang Ying); Han WH (Han Weihua); Yang FH (Yang Fuhua); Han, WH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Res Ctr Semicond Integrat Technol, Beijing 100083, Peoples R China.
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| 基于电子束曝光技术的硅纳米线器件的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2010
作者: 王颖
Adobe PDF(6054Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1077/86 | 提交时间：2010/06/08 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wang Ying; Han Weihua ; Yang Xiang; Zhang Renping; Zhang Yang; Yang Fuhua
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| 依赖晶面的三维限制硅纳米结构的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810224109.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 杨香; 韩伟华; 王颖; 张杨; 杨富华
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| 基于脉冲耦合的硅纳米线CMOS神经元电路 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910091405.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31
发明人: 韩伟华; 熊莹; 赵凯; 杨香; 张严波; 王颖; 杨富华
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| 多位高集成度垂直结构存储器的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-09-17
发明人: 付英春; 王晓峰; 杨富华
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| 环形垂直结构相变存储器的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-07-24
发明人: 付英春; 王晓峰; 杨富华
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| 通用的多种材料间全限制量子点的自对准制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-08-01
发明人: 付英春; 王晓峰; 张加勇; 白云霞; 梁秀琴; 马慧莉; 季安; 杨富华
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| 与光刻分辨率无关的水平相变存储器的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-18
发明人: 付英春; 王晓峰; 张加勇; 季安; 杨富华
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