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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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专题:中科院半导体材料科学重点实验室
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期刊论文
作者:
Ying J
;
Zhang XW
;
Yin ZG
;
Tan HR
;
Zhang SG
;
Fan YM
;
Ying, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. xwzhang@semi.ac.cn
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提交时间:2011/07/05
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Qian, Lei
;
Yang, Jihua
;
Zhou, Renjia
;
Tang, Aiwei
;
Zheng, Ying
;
Tseng, Teng-Kuan
;
Bera, Debasis
;
Xue, Jiangeng
;
Holloway, Paul. H.
;
Xue, J.(jxue@mse.ufl.edu)
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浏览/下载:1115/360
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提交时间:2012/06/14
立方氮化硼薄膜的原位Si 掺杂研究
学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2010
作者:
应杰
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浏览/下载:858/50
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提交时间:2010/06/07
无权访问的条目
期刊论文
作者:
You JB
;
Zhang XW
;
Zhang SG
;
Tan HR
;
Ying J
;
Yin ZG
;
Zhu QS
;
Chu PK (Chu Paul K.)
;
Zhang, XW, CAS, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xwzhang@semi.ac.cn
;
paul.chu@cityu.edu.hk
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浏览/下载:1621/560
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提交时间:2010/05/24
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Ying J (Ying J.)
;
Zhang XW (Zhang X. W.)
;
Fan YM (Fan Y. M.)
;
Tan HR (Tan H. R.)
;
Yin ZG (Yin Z. G.)
;
Zhang, XW, CAS, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. xwzhang@semi.ac.cn
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浏览/下载:1344/332
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提交时间:2010/12/28
无权访问的条目
期刊论文
作者:
陈燕
;
邓爱红
;
赵有文
;
张英杰
;
余鑫祥
;
喻菁
;
龙娟娟
;
周宇璐
;
张丽然
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浏览/下载:1107/297
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提交时间:2011/08/16
无权访问的条目
期刊论文
作者:
胡炜杰
;
赵有文
;
段满龙
;
王应利
;
王俊
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浏览/下载:1025/348
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提交时间:2011/08/16
一种制备n型掺杂的立方氮化硼薄膜的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237087.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
应杰
;
张兴旺
;
范亚明
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浏览/下载:1219/218
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提交时间:2011/08/31
一种高Al组分AlGaN薄膜的制备方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-21
发明人:
毛德丰
;
李维
;
王维颖
;
金鹏
;
王占国
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提交时间:2014/11/24
高In组分AlInN薄膜的制备方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-10-09
发明人:
李维
;
毛德丰
;
王维颖
;
金鹏
;
王占国
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浏览/下载:664/94
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提交时间:2014/11/17