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| 在半导体衬底上制备有序砷化铟量子点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 周慧英; 曲胜春; 金鹏 ; 徐波; 王赤云; 刘俊朋; 王智杰; 王占国
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| 在半导体衬底上制备量子环结构的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 周慧英; 曲胜春; 鹏; 徐波; 王赤云; 刘俊朋; 王占国
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| 自动搅拌滴料桶 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2008-04-02, 公开日期: 2009-06-04
发明人: 王大拯; 王俊; 吕卉; 李伟; 刘秀英; 张海艳; 赖剑雷; 刘素平; 马骁宇
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| GaAs基单模面发射量子级联激光器结构及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 刘俊岐; 刘峰奇; 李路; 邵烨; 郭瑜; 梁平; 胡颖; 孙虹
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| 镓砷基量子级联激光器管芯单元结构及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 刘俊岐; 刘峰奇; 路秀真; 郭瑜; 梁平; 胡颖; 孙虹
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| 具有波长蓝移效应的掩埋异质结构半导体光器件及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 丁颖; 王圩; 潘教青; 王宝军; 陈娓兮
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| 共振遂穿二极管与高电子迁移率晶体管器件制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 黄应龙; 杨富华; 王良臣; 王建林; 伊小燕; 马龙
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| 对砷化铝/砷化镓的砷化镓高选择比化学腐蚀液 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 黄应龙; 杨富华; 王良臣; 姜磊; 白云霞; 王莉
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| 用于波长转换的半导体光学放大器的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 张瑞英; 王圩; 简永生
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| 渐变带隙的铟镓砷材料的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-01-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王书荣; 王圩; 朱洪亮; 张瑞英; 边静
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