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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Hong T (Hong Tao); Ran GZ (Ran Guang-Zhao); Chen T (Chen Ting); Pan JQ (Pan Jiao-Qing); Chen WX (Chen Wei-Xi); Wang Y (Wang Yang); Cheng YB (Cheng Yuan-Bing); Liang S (Liang Song); Zhao LJ (Zhao Ling-Juan); Yin LQ (Yin Lu-Qiao); Zhang JH (Zhang Jian-Hua); Wang W (Wang Wei); Qin GG (Qin Guo-Gang); Hong, T, Peking Univ, State Key Lab Mesoscop Phys, Beijing 100871, Peoples R China. E-mail Address: qingg@pku.edu.cn Adobe PDF(412Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1237/458  |  提交时间:2010/10/11 |
| 采用等离激元效应制备反型聚合物太阳电池的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-08-01 发明人: 宋维; 张兴旺; 高红丽; 尹志岗 Adobe PDF(346Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:616/103  |  提交时间:2014/10/29 |
| 氮化铟沟道层氮化镓基高电子迁移率晶体管结构 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28 发明人: 王晓亮; 李巍; 李百泉; 肖红领; 殷海波; 冯春; 姜丽娟; 邱爱芹; 王翠梅; 介芳 Adobe PDF(431Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:384/0  |  提交时间:2016/09/28 |
| 一种InxAl1-xN/AlN复合势垒层氮化镓基异质结高电子迁移率晶体管结构 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28 发明人: 王晓亮; 李巍; 肖红领; 冯春; 姜丽娟; 殷海波; 王翠梅; 李百泉 Adobe PDF(414Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:423/2  |  提交时间:2016/09/28 |
| 氮化铟沟道层氮化镓基高电子迁移率晶体管结构 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28 发明人: 王晓亮; 李巍; 李百泉; 肖红领; 殷海波; 冯春; 姜丽娟; 邱爱芹; 王翠梅; 介芳 Adobe PDF(420Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:460/3  |  提交时间:2016/09/28 |
| 一种InxAl1-xN/AlN复合势垒层氮化镓基异质结高电子迁移率晶体管结构 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-29 发明人: 王晓亮; 李巍; 肖红领; 冯春; 姜丽娟; 殷海波; 王翠梅; 李百泉 Adobe PDF(413Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:385/3  |  提交时间:2016/09/29 |