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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Xia-Yida MaXueer; Yi-Ming He; Zun-Ren Lv; Zhong-Kai Zhang; Hong-Yu Chai; Dan Lu; Xiao-Guang Yang; Tao Yang
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Xiao-Meng Zhao; Yang Zhang; Li-Jie Cui; Min Guan; Bao-Qiang Wang; Zhan-Ping Zhu; Yi-Ping Zeng
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhang Ming-Lan, Yang Rui-Xia, Li Zhuo-Xin, Cao Xing-Zhong, Wang Bao-Yi, Wang Xiao-Hui
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhao, Ling-Hui; Zhang, Lian; Wang, Xiao-Dong; Lu, Hong-Xi; Wang, Jun-Xi; Zeng, Yi-Ping
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhang YX (Zhang Yun-Xiao); Liao ZY (Liao Zai-Yi); Zhao LJ (Zhao Ling-Juan); Pan JQ (Pan Jiao-Qing); Zhu HL (Zhu Hong-Liang); Wang W (Wang Wei); Zhang, YX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhangyx@semi.ac.cn
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| 单片集成的微型太阳电池阵列及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910078559.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 王彦硕; 陈诺夫; 白一鸣; 黄添懋 ; 陈晓峰; 张汉
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| 基于n-InP的单片集成的光逻辑门及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910093299.9, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 张云霄; 廖栽宜; 周帆; 赵玲娟; 王圩
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| 一种H2微刻蚀进行碳化硅离子激活的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人: 刘胜北; 何志; 刘斌; 刘兴昉; 杨香; 樊中朝; 王晓峰; 王晓东; 赵永梅; 杨富华; 孙国胜; 曾一平
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| 一种碳化硅欧姆接触电极及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-29
发明人: 刘胜北; 何志; 刘斌; 杨香; 刘兴昉; 张峰; 王雷; 田丽欣; 刘敏; 申占伟; 赵万顺; 樊中朝; 王晓峰; 王晓东; 赵永梅; 杨富华; 孙国胜; 曾一平
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| 一种去除碳化硅等离子体刻蚀形成的刻蚀损伤层的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人: 刘胜北; 何志; 刘斌; 刘兴昉; 杨香; 樊中朝; 王晓峰; 王晓东; 赵永梅; 杨富华; 孙国胜; 曾一平
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