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| p-GaN增强型HEMT栅极新结构的研究 学位论文
电子信息硕士, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023
作者: 杨军
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Liu WB (Liu Wen-Bao); Zhao DG (Zhao De-Gang); Jiang DS (Jiang De-Sheng); Liu ZS (Liu Zong-Shun); Zhu JJ (Zhu Jian-Jun); Zhang SM (Zhang Shu-Ming); Yang H (Yang Hui); Liu, WB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. wbliu@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Hu Weijie; Zhao Youwen; Sun Wenrong; Duan Manlong; Dong Zhiyuan; Yang Jun
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 刘扬; 潘教青 ; 王宝军; 边静; 安欣; 赵玲娟
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 翟耀; 孙阳; 徐学俊; 陈少武
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 孙阳; 徐学俊; 屠晓光; 陈少武
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| 对激发光源无稳定性要求的光激发荧光谱系统 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-11-18, 公开日期: 4013
发明人: 谭平恒; 张俊; 赵建华; 姬扬; 赵伟杰
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| 倒装双结铟镓氮太阳能电池结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓亮; 杨翠柏; 肖红领; 胡国新; 冉学军; 王翠梅; 张小宾; 李晋闽
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| 用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 闫发旺; 高海永; 樊中朝; 李晋闽; 曾一平; 王国宏; 张会肖; 王军喜; 张扬
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhang S (Zhang Shuang); Zhao DG (Zhao De-Gang); Liu ZS (Liu Zong-Shun); Zhu JJ (Zhu Jian-Jun); Zhang SM (Zhang Shu-Ming); Wang YT (Wang Yu-Tian); Duan LH (Duan Li-Hong); Liu WB (Liu Wen-Bao); Jiang DS (Jiang De-Sheng); Yang H (Yang Hui); Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: dgzhao@red.semi.ac.cn
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