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| 用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 闫发旺; 高海永; 樊中朝; 李晋闽; 曾一平; 王国宏; 张会肖; 王军喜; 张扬
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| 一种利用图形化衬底提高GaN基LED发光效率的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 闫发旺; 高永海; 张扬; 李晋闽; 曾一平; 王国宏; 张会肖
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| 用于氮化物外延生长的图形蓝宝石衬底的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 闫发旺; 高海永; 张扬; 李晋闽; 曾一平; 王国宏; 张会肖
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| 高晶体质量氮化物外延生长所用图形衬底的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 张扬; 闫发旺; 高海永; 曾一平; 王国宏; 张会肖; 李晋闽
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| 近场光学固体浸墨透镜型微小孔径激光器及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 甘巧强; 宋国峰; 石岩; 杨国华; 钟源; 高建霞; 陈良惠
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| 提高半导体光电转换器件性能的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-08-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 李建明; 种明; 杨丽卿; 徐嘉东; 胡传贤; 段晓峰; 高旻; 朱建成; 王凤莲
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| 一种全内反射半导体光波导开关 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 1994-07-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 庄婉如; 杨培生; 石志文; 孙富荣; 高俊华; 段继宁; 邹正中
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| 利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010157517.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 郑高林; 杨安丽; 宋华平 ; 郭严; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国
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| 一种生长高质量富In组分InGaN薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010157637.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 郭严; 宋华平; 郑高林; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国
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| 一种用于激光熔覆的含有高铬含量的铁基复合粉末 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-04-30
发明人: 林学春; 王奕博; 赵树森; 高文焱; 周春阳; 刘发兰
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