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Donor defect in P-diffused bulk ZnO single crystal 会议论文
, Rio de Janeiro, BRAZIL, 2009
作者:  Zhao YW (Zhao Youwen);  Zhang R (Zhang Rui);  Zhang F (Zhang Fan);  Dong ZY (Dong Zhiyuan);  Yang J (Yang Jun);  Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China
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Zinc Oxide  Doping  Defect  
在本征砷化镓表面77K以下实现欧姆接触的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-17, 2010-08-12
发明人:  谈笑天;  郑厚植;  刘 剑;  杨富华
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适用于激光共聚焦测量装置的光学窗口片 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12
发明人:  杨晋玲;  周美强;  周 威;  唐龙娟;  朱银芳;  杨富华
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基于RTD与EHEMT的超高速全并行模数转换器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-02-10, 2010-08-12
发明人:  戴 扬;  杜 睿;  杨富华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei TB (Wei T. B.);  Hu Q (Hu Q.);  Duan RF (Duan R. F.);  Wei XC (Wei X. C.);  Yang JK (Yang J. K.);  Wang JX (Wang J. X.);  Zeng YP (Zeng Y. P.);  Wang GH (Wang G. H.);  Li JM (Li J. M.);  Wei, TB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: tbwei@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ning JQ (Ning J. Q.);  Xu SJ (Xu S. J.);  Wei ZF (Wei Z. F.);  Ruan XZ (Ruan X. Z.);  Ji Y (Ji Yang);  Zheng HZ (Zheng H. Z.);  Liu HC (Liu H. C.);  Xu, SJ, Univ Hong Kong, Dept Phys, Pokfulam Rd, Hong Kong, Hong Kong, Peoples R China. 电子邮箱地址: sjxu@hkucc.hku.hk
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang YD (Yang Yue-De);  Huang YZ (Huang Yong-Zhen);  Guo WH (Guo Wei-Hua);  Lu QY (Lu Qiaoyin);  Donegan JF (Donegan John F.);  Yang, YD, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: yzhuang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang F;  Xu SJ;  Ning JQ;  Zheng CC;  Zhao DG;  Yang H;  Che CM;  Zhang, F, Univ Hong Kong, Dept Phys, Pokfulam Rd, Hong Kong, Hong Kong, Peoples R China. sjxu@hkucc.hku.hk
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  黄添懋;  陈诺夫;  张兴旺;  白一鸣;  尹志岗;  施辉伟;  张汉;  汪宇;  王彦硕;  杨晓丽
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  黄寓洋;  刘惠春;  Wasileweski Z R;  Buchanan M;  Laframboise S R;  杨晨;  崔国新;  边历峰;  杨辉;  张耀辉
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