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| 采用干法刻蚀技术实现RTD与HEMT单片集成的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-10-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 马龙; 杨富华; 王良臣; 黄应龙
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| 共振遂穿二极管与高电子迁移率晶体管器件制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 黄应龙; 杨富华; 王良臣; 王建林; 伊小燕; 马龙
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| 对砷化铝/砷化镓的砷化镓高选择比化学腐蚀液 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 黄应龙; 杨富华; 王良臣; 姜磊; 白云霞; 王莉
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| 半导体/磁体/半导体三层结构的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨君玲; 陈诺夫; 何家宏; 钟兴儒; 吴金良; 林兰英; 刘志凯; 杨少延; 柴春林
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| 1.3微米InGaAs/GaAs自组织量子点激光器材料及生长该材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-10-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 牛智川; 封松林; 杨富华; 王晓东; 汪辉; 李树英; 苗振华; 李树深
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| 磁性半导体/半导体异质液相外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-05-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 陈诺夫; 杨君玲; 何宏家; 钟兴儒; 吴金良; 林兰英
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| 依赖晶面的三维限制硅纳米结构的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810224109.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 杨香; 韩伟华; 王颖; 张杨; 杨富华
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| 一种大功率光纤泵浦合束器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22
发明人: 杨盈莹; 林学春; 赵亚平; 汪楠; 王丽荣; 刘燕楠
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| 具有图像分割功能的脉冲耦合神经网络的实现电路 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010231216.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 熊莹 ; 韩伟华; 杨富华
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| 一种利用时间编码控制权重和信息整合的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010201589.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 韩伟华; 熊莹; 张严波; 赵凯; 杨富华
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