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| p-GaN增强型HEMT栅极新结构的研究 学位论文
电子信息硕士, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023
作者: 杨军
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| 氮化铝MEMS谐振器关键技术研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2015
作者: 杨健
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氮化铝 Mems 谐振器 有限单元法 压电系数测试 Icp刻蚀 |
| A SIMPLE METHOD FOR EFFECTIVELY RESTRAIN ELECTROCHEMICAL CORROSION OF POLYCRYSTALLINE SILICON BY HF-BASED SOLUTIONS 会议论文
PROCEEDINGS: IEEE MICRO ELECTRO MECHANICAL SYSTEMS 页: 205-208, Cancun, MEXICO, 2011
作者: Xie J (Xie J.); Liu YF (Liu Y. F.); Zhang ML (Zhang M. L.); Yang JL (Yang J. L.); Yang FH (Yang F. H.)
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhang, Fengxin; Zhu, Yinfang; Yang, Jinling; Cao, Lixin; Yang, J.(jlyang@semi.ac.cn)
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| 基于差分方法的MEMS器件信号检测电路 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010564525.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31
发明人: 韩国威; 宁瑾; 孙国胜; 赵永梅; 杨富华
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| 一种超高真空多功能综合测试系统 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010171385.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31
发明人: 杨晋玲; 刘云飞; 解婧; 杨富华
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| 谐振式微机电系统机翼风力传感器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-22
发明人: 钟卫威; 司朝伟; 韩国威; 宁瑾; 杨富华
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| 一种微光学陀螺Sagnac效应光波导芯片及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-09-10
发明人: 杨添舒; 刘雯; 时彦朋; 马静; 张端; 郑婉华; 王晓东; 杨富华
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| 半导体薄膜太阳能电池前后表面的陷光结构制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-21
发明人: 时彦朋; 王晓东; 刘雯; 杨添舒; 马静; 杨富华
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| 具有减反射膜的太阳能电池元件及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-04-30
发明人: 杨添舒; 刘雯; 时彦朋; 马静; 王晓东; 杨富华
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