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Donor defect in P-diffused bulk ZnO single crystal 会议论文
, Rio de Janeiro, BRAZIL, 2009
作者:  Zhao YW (Zhao Youwen);  Zhang R (Zhang Rui);  Zhang F (Zhang Fan);  Dong ZY (Dong Zhiyuan);  Yang J (Yang Jun);  Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China
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Zinc Oxide  Doping  Defect  
适用于激光共聚焦测量装置的光学窗口片 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12
发明人:  杨晋玲;  周美强;  周 威;  唐龙娟;  朱银芳;  杨富华
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采用氢氧化铵腐蚀液制备V型槽砷化镓图形衬底的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-16, 2010-08-12
发明人:  鞠研玲;  杨晓红;  韩 勤
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Bai YM (Bai YiMing);  Wang J (Wang Jun);  Chen NF (Chen NuoFu);  Yao JX (Yao JianXi);  Yin ZG (Yin ZhiGang);  Zhang H (Zhang Han);  Zhang XW (Zhang XingWang);  Huang TM (Huang TianMao);  Wang YS (Wang YanShuo);  Yang XL (Yang XiaoLi);  Bai, YM, N China Elect Power Univ, Sch Renewable Energy Engn, Beijing 102206, Peoples R China. 电子邮箱地址: ymbai@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei TB (Wei T. B.);  Hu Q (Hu Q.);  Duan RF (Duan R. F.);  Wei XC (Wei X. C.);  Yang JK (Yang J. K.);  Wang JX (Wang J. X.);  Zeng YP (Zeng Y. P.);  Wang GH (Wang G. H.);  Li JM (Li J. M.);  Wei, TB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: tbwei@semi.ac.cn
Adobe PDF(579Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1928/666  |  提交时间：2010/06/18
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ning JQ (Ning J. Q.);  Xu SJ (Xu S. J.);  Wei ZF (Wei Z. F.);  Ruan XZ (Ruan X. Z.);  Ji Y (Ji Yang);  Zheng HZ (Zheng H. Z.);  Liu HC (Liu H. C.);  Xu, SJ, Univ Hong Kong, Dept Phys, Pokfulam Rd, Hong Kong, Hong Kong, Peoples R China. 电子邮箱地址: sjxu@hkucc.hku.hk
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Luo J (Luo Jing);  Zheng HZ (Zheng HouZhi);  Shen C (Shen Chao);  Zhang H (Zhang Hao);  Zhu K (Zhu Ke);  Zhu;  H (Zhu Hui);  Liu J (Liu Jian);  Li GR (Li GuiRong);  Ji Y (Ji Yang);  Zhao JH (Zhao JianHua);  Zheng, HZ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: hzzheng@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu XQ (Xu Xiaoqing);  Liu XL (Liu Xianglin);  Guo Y (Guo Yan);  Wang J (Wang Jun);  Song HP (Song Huaping);  Yang SY (Yang Shaoyan);  Wei HY (Wei Hongyuan);  Zhu QS (Zhu Qinsheng);  Wang ZG (Wang Zhanguo);  Xu, XQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xxq@semi.ac.cn;  xlliu@red.semi.ac.cn;  qszhu@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu JM (Liu J. M.);  Liu XL (Liu X. L.);  Xu XQ (Xu X. Q.);  Wang J (Wang J.);  Li CM (Li C. M.);  Wei HY (Wei H. Y.);  Yang SY (Yang S. Y.);  Zhu QS (Zhu Q. S.);  Fan YM (Fan Y. M.);  Zhang XW (Zhang X. W.);  Wang ZG (Wang Z. G.)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zheng GL (Zheng Gaolin);  Wang J (Wang Jun);  Liu XL (Liu Xianglin);  Yang AL (Yang Anli);  Song HP (Song Huaping);  Guo Y (Guo Yan);  Wei HY (Wei Hongyuan);  Jiao CM (Jiao Chunmei);  Yang SY (Yang Shaoyan);  Zhu QS (Zhu Qinsheng);  Wang ZG (Wang Zhanguo);  Zheng, GL, 35 Tsinghua E Rd, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhenggl@semi.ac.cn;  xlliu@semi.ac.cn
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