中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助

限定条件                
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
具有低特征导通电阻的SiC VDMOSFET结构及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:  王进泽;  杨香;  颜伟;  刘胜北;  赵继聪;  何志;  王晓东;  杨富华
Adobe PDF(607Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：607/1  |  提交时间：2016/08/30