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| 高效率边发射锑化物激光器光场调控研究 学位论文
工学博士, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023
作者: 陈益航
 Adobe PDF(7933Kb) |  收藏 | 浏览/下载：255/4 | 提交时间：2023/07/03 |
| 基于聚二甲基硅氧烷的柔性光电子器件 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2019
作者: 陈阳辉
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 黄寓洋; 刘惠春; Wasileweski Z R; Buchanan M; Laframboise S R; 杨晨; 崔国新; 边历峰; 杨辉; 张耀辉
Adobe PDF(302Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1147/360 | 提交时间：2011/08/16 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 杨晨; 崔国新; 黄寓洋; 张耀辉; 杨辉
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| 一种生长可控量子点和量子环的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-10-28, 公开日期: 4011
发明人: 赵 暕; 陈涌海; 王占国; 徐 波
Adobe PDF(1161Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1298/232 | 提交时间：2010/03/19 |
| 控制自组织铟镓砷量子点成核的生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-09-23, 公开日期: 4007
发明人: 梁凌燕; 叶小玲 ; 金 鹏; 陈涌海; 徐 波; 王占国
Adobe PDF(673Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1451/245 | 提交时间：2010/03/19 |
| 在低温下为半导体样品施加连续可调单轴应力的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-09-23, 公开日期: 4007
发明人: 周振宇; 陈涌海
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| 生长氧化锌纳米棒阵列的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-13, 公开日期: 3994
发明人: 范海波; 杨少延; 张攀峰; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 陈涌海; 王占国
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| 量子点-阱红外探测器的结构及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-09-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王志成; 徐波; 刘峰奇; 陈涌海; 王占国; 石礼伟; 梁凌燕
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| 一种具有薄氮化铪可协变层的硅基可协变衬底材料 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨少延; 范海波; 李成明; 陈涌海; 王占国
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