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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: L. Zhang; Y. N. Guo; J. C. Yan; Q. Q. Wu; X. C. Wei; J. X. Wang; J. M. Li
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 王军喜; 闫建昌; 郭亚楠; 张韵; 田迎冬; 朱邵歆; 陈翔; 孙莉莉; 李晋闽
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wei TB (Wei T. B.); Hu Q (Hu Q.); Duan RF (Duan R. F.); Wei XC (Wei X. C.); Yang JK (Yang J. K.); Wang JX (Wang J. X.); Zeng YP (Zeng Y. P.); Wang GH (Wang G. H.); Li JM (Li J. M.); Wei, TB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: tbwei@semi.ac.cn
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| 具有p-GaN层表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102157640A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 李璟; 王国宏; 魏同波; 张杨; 孔庆峰
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| 采用侧壁等离激元技术提高紫外发光二极管效率的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人: 孙莉莉; 张韵; 闫建昌; 王军喜; 李晋闽
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| 插入匀化电流结构的发光器件及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-21
发明人: 郭恩卿; 伊晓燕; 刘志强; 陈宇; 王军喜; 李晋闽
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| 氮化镓基3D垂直结构发光二极管的结构 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-03-13, 2013-03-13
发明人: 谢海忠; 张扬; 杨华; 李璟; 刘志强; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽
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| 制作纳米级柱形阵列氮化镓基正装结构发光二级管的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-03-06, 2013-03-06
发明人: 程滟; 汪炼成; 刘志强; 伊晓燕; 王国宏
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| 氮化镓基3D垂直结构发光二极管的制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-03-13, 2013-03-13
发明人: 谢海忠; 张扬; 杨华; 李璟; 刘志强; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽
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| 制作柔性金字塔阵列GaN基半导体发光二极管的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-03-20, 2013-03-20
发明人: 程滟; 汪炼成; 刘志强; 伊晓燕; 王国宏
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