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| 掺杂剂锌辅助的自催化法生长InN纳米棒材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237095.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 宋华平; 杨安丽; 郭严; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国
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| 利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010157517.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 郑高林; 杨安丽; 宋华平 ; 郭严; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国
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| 一种生长高质量富In组分InGaN薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010157637.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 郭严; 宋华平; 郑高林; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国
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| 制备c轴垂直取向图案化磁记录介质的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102097106A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 高云; 张兴旺; 尹志岗; 屈盛; 高红丽
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| 异质结构等离激元与体异质结结合的太阳电池 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-11
发明人: 毕瑜; 曲胜春; 谭付瑞; 王占国
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| 形貌可控ZnSe纳米颗粒的无膦热注入制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-10-17
发明人: 毕瑜; 曲胜春; 王占国
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