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| InP衬底上集成增强型和耗尽型HEMT的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-08-26, 公开日期: 4005
发明人: 戴扬
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| 一种恒温装置及其控制方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-03-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 张日清; 刘祥林; 杨少延; 张晓沛; 董向芸
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| 光学复合膜作电极的GaN功率型LED的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 李晋闽; 王晓东; 王国宏; 王良臣; 杨富华
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| 制作光子晶体结构GaN基发光二极管的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 陈弘达; 胡海洋
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| 一种生长氧化锌薄膜的装置及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨少延; 刘祥林; 赵凤瑷; 焦春美 ; 董向芸; 张晓沛; 范海波; 魏宏源; 张攀峰; 王占国
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| 一种生长二氧化硅薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓东; 季安; 邢波; 杨富华
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| 不对称的脊形氮化镓基半导体激光器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-10-03, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 李德尧; 张书明; 杨辉; 梁俊吾
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| 砷化镓基1.5微米量子阱结构及其外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 牛智川; 倪海桥; 韩勤; 张石勇; 吴东海; 赵欢; 杨晓红; 彭红玲; 周志强; 熊永华; 吴荣汉
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| 一种增加闪锌矿结构锑化铬厚度的生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 赵建华; 邓加军; 毕京峰; 牛智川; 杨富华; 吴晓光; 郑厚植
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| 无磁场测量稀磁半导体镓锰砷铁磁转变温度的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 赵建华; 蒋春萍; 郑厚植; 邓加军; 杨富华; 牛智川
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