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| GeSn合金的外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910088391.6, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 成步文; 薛春来; 左玉华; 汪巍; 胡炜玄; 苏少坚; 白安琪; 薛海韵
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| 共掺杂的硅基杂质中间带材料的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 马志华; 左玉华; 薛春来; 成步文; 王启明; 郑世雄
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| 在Si衬底上分子束外延生长GeSn合金的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010231169.X, 公开日期: 2011-08-30, 2011-08-30, 2011-08-30
发明人: 苏少坚; 汪巍; 成步文; 王启明; 张广泽; 胡炜玄; 白安琪; 薛春来; 左玉华
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| 硅基锗激光器及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-12-04
发明人: 刘智; 成步文; 李传波; 李亚明; 薛春来; 左玉华; 王启明
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| 廉价粉末多晶硅基纳米线的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-12
发明人: 李传波; 张春倩; 薛春来; 成步文; 王启明
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| 一种多晶硅基纳米结构锂电池的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-09-17
发明人: 李传波; 张春倩; 张大林; 薛春来; 成步文; 王启明
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| 具有亚波长光栅结构的面入射硅基锗光电探测器及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22
发明人: 刘智; 成步文; 何超; 李传波; 薛春来; 王启明
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| 硅基宽光谱探测器及制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人: 刘智; 成步文; 何超; 李传波; 薛春来; 王启明
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| 一种Si基复合负极材料及其锂电池的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人: 张均营; 李传波; 郑军; 左玉华; 薛春来; 成步文
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| 硅基锂离子电池负极材料的简单制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人: 张春倩; 李传波; 杨帆; 张大林; 薛春来; 成步文; 王启明
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