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| 一种大功率半导体量子点激光器材料的外延生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-03-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 于理科; 徐波; 王占国; 金鹏; 赵昶; 张秀兰 Adobe PDF(627Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1332/167  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种亚分子单层量子点激光器材料的外延生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-03-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 于理科; 徐波; 王占国; 金鹏; 赵昶; 张秀兰 Adobe PDF(681Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1080/178  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种多功能反射式磁光光谱测量系统 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010143096.9, 公开日期: 2011-08-30 发明人: 朱科; 朱汇; 刘剑; 章昊; 徐萍; 李桂荣; 郑厚植 Adobe PDF(717Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1411/193  |  提交时间:2011/08/30 |
| 一种可用于硅基集成的HEMT器件及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-19 发明人: 米俊萍; 周旭亮; 于红艳; 李梦珂; 李士颜; 潘教青 Adobe PDF(785Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:700/72  |  提交时间:2014/12/25 |
| 一种硅基III-V族nMOS器件的制作方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-15 发明人: 周旭亮; 于红艳; 李梦珂; 潘教青; 王圩 Adobe PDF(435Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:720/71  |  提交时间:2014/12/25 |
| 在Si基上制备InP基HEMT的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-05 发明人: 李士颜; 周旭亮; 于鸿艳; 李梦珂; 米俊萍; 潘教青 Adobe PDF(488Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:677/93  |  提交时间:2014/11/17 |
| 硅基高迁移率InGaAs沟道的环栅MOSFET制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-10-09 发明人: 周旭亮; 于红艳; 李梦珂; 潘教青; 王圩 Adobe PDF(1141Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:612/53  |  提交时间:2014/12/25 |
| 基于ART结构的硅基沟槽内生长GaAs材料的NMOS器件 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-26 发明人: 李梦珂; 周旭亮; 于红艳; 李士颜; 米俊萍; 潘教青 Adobe PDF(431Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:709/84  |  提交时间:2014/12/25 |
| 一种硅基微腔激光器的制作方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12 发明人: 周旭亮; 于红艳; 李梦珂; 潘教青; 王圩 Adobe PDF(599Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:645/71  |  提交时间:2014/11/05 |
| ART结构沟槽内生长GaAs材料HEMT器件的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-22 发明人: 李梦珂; 周旭亮; 于红艳; 李士颜; 米俊萍; 潘教青 Adobe PDF(491Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:727/83  |  提交时间:2014/11/24 |