|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式： |
| 一种InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010106773.X, 公开日期: 2011-08-30, 2011-07-14, 2011-08-30
发明人: 王国伟; 汤宝; 周志强; 任正伟; 徐应强; 牛智川
 Adobe PDF(560Kb) |  收藏 | 浏览/下载：1432/189 | 提交时间：2011/08/30 |
| 在衬底上生长异变缓冲层的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102194671A, 公开日期: 2012-08-29, 2011-09-21, 2012-08-29
发明人: 贺继方; 尚向军; 倪海桥; 王海莉; 李密峰; 朱岩; 王莉娟; 喻颖; 贺正宏; 徐应强; 牛智川
Adobe PDF(309Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1462/245 | 提交时间：2012/08/29 |
| “W”型锑化物二类量子阱的外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102157903A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 迂修; 张宇; 王国伟; 徐应强; 徐云; 宋国峰
Adobe PDF(227Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1293/352 | 提交时间：2012/09/09 |
| 带间级联激光器及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人: 邢军亮; 张宇; 徐应强; 王国伟; 王娟; 向伟; 任正伟; 牛智川
Adobe PDF(984Kb) | 收藏 | 浏览/下载：868/116 | 提交时间：2014/11/05 |
| InSb/GaSb量子点结构器件及生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-12-11
发明人: 邢军亮; 张宇; 徐应强; 王国伟; 王娟; 向伟; 任正伟; 牛智川
Adobe PDF(1368Kb) | 收藏 | 浏览/下载：864/76 | 提交时间：2014/11/24 |
| 一种具有W型有源区结构的带间级联激光器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-01-29
发明人: 张宇; 邢军亮; 徐应强; 任正伟; 牛智川
Adobe PDF(378Kb) | 收藏 | 浏览/下载：730/103 | 提交时间：2014/11/05 |
| 基于半导体超短脉冲激光器的太赫兹源设备 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-10-23
发明人: 倪海桥; 丁颖; 徐应强; 李密锋; 喻颖; 査国伟; 徐建新; 牛智川
Adobe PDF(346Kb) | 收藏 | 浏览/下载：737/86 | 提交时间：2014/11/17 |
| 双波长锑化物应变量子阱半导体激光器及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-01
发明人: 邢军亮; 张宇; 王国伟; 王娟; 王丽娟; 任正伟; 徐应强; 牛智川
Adobe PDF(1931Kb) | 收藏 | 浏览/下载：783/73 | 提交时间：2014/11/24 |
| InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-06-25
发明人: 蒋洞微; 向伟; 王娟; 邢军亮; 王国伟; 徐应强; 任正伟; 贺振宏; 牛智川
Adobe PDF(932Kb) | 收藏 | 浏览/下载：777/107 | 提交时间：2014/11/24 |
| 利用飞秒激光制备金属-半导体接触电极的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010283562.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 徐晓娜 ; 李越强; 王晓东; 杨富华
Adobe PDF(264Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1323/262 | 提交时间：2011/08/31 |
