SEMI OpenIR
(本次检索基于用户作品认领结果)

浏览/检索结果: 共17条,第1-10条 帮助

限定条件        
已选(0)清除 条数/页:   排序方式:
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang YJ;  Xu SJ;  Li Q;  Zhao DG;  Yang H;  Xu, SJ, Univ Hong Kong, Dept Phys, Pokfulam Rd, Hong Kong, Hong Kong, Peoples R China. E-mail: sjxu@hkucc.hku.hk
Adobe PDF(77Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1499/522  |  提交时间:2010/04/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu SJ;  Li GQ;  Wang YJ;  Zhao Y;  Chen GH;  Zhao DG;  Zhu JJ;  Yang H;  Yu DP;  Wang JN;  Xu, SJ, Univ Hong Kong, Joint Lab New Mat, CAS, Dept Phys, Pokfulam Rd, Hong Kong, Hong Kong, Peoples R China. E-mail: sjxu@hkucc.hku.hk
Adobe PDF(390Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1295/479  |  提交时间:2010/04/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Kang Y;  Xu YH;  Zhao DG;  Fang, JX;  Fang, JX, Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Tech Phys, State Key Labs Transducer Technol, Yutian Rd 500, Shanghai 200083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jxfang@mail.sitp.ac.cn
Adobe PDF(294Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1114/453  |  提交时间:2010/03/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao DG;  Xu SJ;  Xie MH;  Tong SY;  Yang H;  Xu SJ,Univ Hong Kong,Dept Phys,Pokfulam Rd,Hong Kong,Hong Kong,Peoples R China.
Adobe PDF(53Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:3294/1448  |  提交时间:2010/08/12
MOCVD growth of cubic GaN: Materials and devices 会议论文
PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, 1, NAGOYA, JAPAN, SEP 24-27, 2000
作者:  Yang H;  Zhang SM;  Xu DP;  Li SF;  Zhao DG;  Fu Y;  Sun YP;  Feng ZH;  Zheng LX;  Yang H Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Natl Res Ctr Optoelect Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(380Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1456/238  |  提交时间:2010/10/29
Mocvd  Gan  Ingan  Cubic  Led  Chemical-vapor-deposition  Molecular-beam Epitaxy  Gallium Nitride  Phase Epitaxy  Ingan Films  Electroluminescence  Zincblende  Wurtzite  Mbe  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu DP;  Wang YT;  Yang H;  Li SF;  Zhao DG;  Fu Y;  Zhang SM;  Wu RH;  Jia QJ;  Zheng WL;  Jiang XM;  Xu DP,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Res Ctr Optoelect Technol,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(45Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1127/331  |  提交时间:2010/08/12
Influences of initial buffer layer deposition on electrical and optical properties in cubic GaN grown on GaAs(100) by metalorganic chemical vapor deposition 会议论文
THIN SOLID FILMS, 368 (2), SHANGHAI, PEOPLES R CHINA, MAY 10-13, 1999
作者:  Xu DP;  Yang H;  Li JB;  Li SF;  Zhao DG;  Wang YT;  Sun XL;  Wu RH;  Xu DP Chinese Acad Sci Natl Res Ctr Optoelect Technol Inst Semicond Beijing 100864 Peoples R China.
Adobe PDF(194Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1132/252  |  提交时间:2010/11/15
Cubic Gan  Buffer Layer  Atomic Force Microscopy  Reflection High-energy Electron Diffraction  Movpe  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu DP;  Yang H;  Li JB;  Li SF;  Wang YT;  Zhao DG;  Wu RH;  Xu DP,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Res Ctr Optoelect Technol,Beijing 100864,Peoples R China.
Adobe PDF(1465Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:857/193  |  提交时间:2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu DP;  Yang H;  Zhao DG;  Li SF;  Wu RH;  Xu DP,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Res Ctr Optoelect Technol,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(51Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:868/279  |  提交时间:2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu DP;  Yang H;  Li SF;  Zhao DG;  Ge H;  Wu RH;  Xu DP,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Res Ctr Optoelect Technol,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(136Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1001/356  |  提交时间:2010/08/12