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| 在半导体衬底上制备有序砷化铟量子点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 周慧英; 曲胜春; 金鹏 ; 徐波; 王赤云; 刘俊朋; 王智杰; 王占国
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| 在半导体衬底上制备量子环结构的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 周慧英; 曲胜春; 鹏; 徐波; 王赤云; 刘俊朋; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 张春玲; 唐蕾; 徐波; 陈涌海; 王占国
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| 利用阳极氧化浴槽制备有序的阳极氧化铝通孔模板的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-09-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 周慧英; 曲胜春; 徐波; 张春林; 王占国
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| 在解理面上制作半导体纳米结构的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 陈涌海; 张春玲; 崔草香; 徐波; 金鹏; 刘峰奇; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 张冠杰; 徐波; 陈涌海; 姚江宏; 林耀望; 舒永春; 皮彪; 邢晓东; 刘如彬; 舒强; 王占国; 许京军
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 朱天伟; 徐波; 何军; 赵凤瑷; 张春玲; 谢二庆; 刘峰奇; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 张春玲; 赵凤瑗; 徐波; 金鹏; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 龚谦; 梁基本; 徐波; 丁鼎; 王占国; 裘晓辉; 商广义; 白春礼
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