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在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12
发明人:  王鹏飞;  吴东海;  吴兵朋;  熊永华;  詹 峰;  黄社松;  倪海桥;  牛智川
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chang XY (Chang Xiu-Ying);  Dou XM (Dou Xiu-Ming);  Sun BQ (Sun Bao-Quan);  Xiong YH (Xiong Yong-Hua);  Ni HQ (Ni Hai-Qiao);  Niu ZC (Niu Zhi-Chuan);  Sun, BQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China.
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InAs量子点单光子发射器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者:  熊永华
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砷化镓基1.5微米量子阱结构及其外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  牛智川;  倪海桥;  韩勤;  张石勇;  吴东海;  赵欢;  杨晓红;  彭红玲;  周志强;  熊永华;  吴荣汉
Adobe PDF(588Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1413/248  |  提交时间：2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  熊党生;  张彦华;  徐嘉东
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紫外激光干涉条纹的辅助检测装置及方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102141736A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  郑凯;  赵懿昊;  李全宁;  熊聪
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一种低密度InAs量子点的分子束外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910235334.6, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  牛智川;  倪海桥;  王海莉;  贺继方;  朱岩;  李密峰;  王鹏飞;  黄社松;  熊永华
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共掺杂的硅基杂质中间带材料的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  马志华;  左玉华;  薛春来;  成步文;  王启明;  郑世雄
Adobe PDF(271Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1393/231  |  提交时间：2012/09/09