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一种抑制垂直腔面发射激光器发散角的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-03, 2010-08-12
发明人:  郑婉华;  刘安金;  邢名欣;  渠宏伟;  陈 微;  周文君;  陈良惠
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采用光子晶体微腔和晶片键合技术实现电注入的单光子源 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-08-05, 公开日期: 4003
发明人:  郑婉华;  刘安金;  任 刚;  邢名欣;  渠宏伟;  陈良惠 
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Demonstration of high efficient tunable lasing with one photonic crystal W1 waveguide 会议论文
, Shanghai, PEOPLES R CHINA, AUG 30-SEP 03, 2009
作者:  Zheng WH (Zheng Wanhua);  Xing MX (Xing Mingxin);  Chen;  W (Chen Wei);  Zhou WJ (Zhou Wenjun);  Liu AJ (Liu Anjin);  Wang HL (Wang Hailing);  Chen LH (Chen Lianghui)
Adobe PDF(551Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1601/324  |  提交时间：2010/06/04
无权访问的条目 期刊论文
作者:  陈微;  邢名欣;  任刚;  王科;  杜晓宇;  张冶金;  郑婉华
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一种制备氮化物单晶衬底的氢化物气相外延装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  段瑞飞;  刘喆;  钟兴儒;  魏同波;  马平;  王军喜;  曾一平;  李晋闽
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang CX (Wang Chun-Xia);  Xu XS (Xu Xing-Sheng);  Xiong GG (Xiong Gui-Guang);  Hu HY (Hu Hai-Yang);  Song Q (Song Qian);  Du W (Du Wei);  Chen HD (Chen Hong-Da);  Wang, CX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: cxwang@red.semi.ac.cn
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制造厚膜氮化物材料的氢化物气相外延装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘喆;  王军喜;  钟兴儒;  李晋闽;  曾一平;  段瑞飞;  马平;  魏同波;  林郭强
Adobe PDF(457Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1551/189  |  提交时间：2009/06/11
全角度反射镜结构GaN基发光二极管及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  许兴胜;  杜伟;  陈弘达
Adobe PDF(662Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1042/201  |  提交时间：2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang CX (Wang Chun-Xia);  Xu XS (Xu Xing-Sheng);  Li F (Li Fang);  Du W (Du Wei);  Xiong GG (Xiong Gui-Guang);  Liu YL (Liu Yu-Liang);  Chen HD (Chen Hong-Da);  Wang, CX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: cxwang@red.semi.ac.cn
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Optical and electrical investigation of low dimensional self-assembled InAs quantum dot field effect transistors 会议论文
International Journal of Nanoscience丛书标题: International Journal of Nanoscience Series, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 24-27, 2004
作者:  Zeng, YX (Zeng, Yuxin);  Liu, W (Liu, Wei);  Yang, FH (Yang, Fuhua);  Xu, P (Xu, Ping);  Tan, PH (Tan, Pingheng);  Zheng, HZ (Zheng, Houzhi);  Zeng, YP (Zeng, Yiping);  Xing, YJ (Xing, Yingjie);  Yu, DP (Yu, Dapeng);  Zeng, YX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China.
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Inas Quantum Dot  Photoluminescence  Modulation-doped  Field Effect Transistor  Mu-m  Capping Layer