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| 一种制备氮化物单晶衬底的氢化物气相外延装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 段瑞飞 ; 刘喆; 钟兴儒; 魏同波; 马平; 王军喜; 曾一平; 李晋闽
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| 制造厚膜氮化物材料的氢化物气相外延装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 刘喆; 王军喜; 钟兴儒; 李晋闽; 曾一平; 段瑞飞; 马平; 魏同波; 林郭强
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| 制备绝缘体上锗硅薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 刘超; 高兴国; 李建平; 曾一平
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| 提高太阳能电池效率及制备高效率太阳能电池的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 韩培德; 邢宇鹏; 范玉杰; 梁鹏
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| 集成傅里叶变换红外原位监测系统的原子层沉积装置 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102492939A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29
发明人: 张峰; 孙国胜; 王雷; 赵万顺; 刘兴昉; 闫果果; 曾一平
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| 连续型HTCVD法碳化硅晶体生长装置 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102304763A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29
发明人: 刘兴昉; 郑柳; 董林; 闫果果; 王雷; 赵万顺; 孙国胜; 曾一平; 李晋闽
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| HTCVD法碳化硅晶体生长装置 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102304698A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29
发明人: 刘兴昉; 董林; 郑柳; 闫果果; 王雷; 赵万顺; 孙国胜; 曾一平; 李晋闽
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| 一种多片碳化硅半导体材料制造装置 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人: 闫果果; 孙国胜; 刘兴昉; 张峰; 王雷; 赵万顺; 曾一平
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| 具备背电极局域随机点接触太阳电池及制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-02
发明人: 梁鹏; 韩培德; 范玉洁; 邢宇鹏
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| 硼铝共掺背面场硅太阳能电池及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-19
发明人: 范玉杰; 韩培德; 梁鹏; 邢宇鹏; 叶舟; 胡少旭
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