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制造厚膜氮化物材料的氢化物气相外延装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘喆;  王军喜;  钟兴儒;  李晋闽;  曾一平;  段瑞飞;  马平;  魏同波;  林郭强
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制备绝缘体上锗硅薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘超;  高兴国;  李建平;  曾一平
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu XF (Liu Xing-Fang);  Sun GS (Sun Guo-Sheng);  Li JM (Li Jin-Min);  Zhao YM (Zhao Yong-Mei);  Li JY (Li Jia-Ye);  Wang L (Wang Lei);  Zhao WS (Zhao Wan-Shun);  Zeng YP (Zeng Yi-Ping);  Liu, XF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: liuxf@mail.semi.ac.cn
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Optical and electrical investigation of low dimensional self-assembled InAs quantum dot field effect transistors 会议论文
International Journal of Nanoscience丛书标题: International Journal of Nanoscience Series, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 24-27, 2004
作者:  Zeng, YX (Zeng, Yuxin);  Liu, W (Liu, Wei);  Yang, FH (Yang, Fuhua);  Xu, P (Xu, Ping);  Tan, PH (Tan, Pingheng);  Zheng, HZ (Zheng, Houzhi);  Zeng, YP (Zeng, Yiping);  Xing, YJ (Xing, Yingjie);  Yu, DP (Yu, Dapeng);  Zeng, YX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China.
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Inas Quantum Dot  Photoluminescence  Modulation-doped  Field Effect Transistor  Mu-m  Capping Layer