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一种抑制垂直腔面发射激光器发散角的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-03, 2010-08-12
发明人:  郑婉华;  刘安金;  邢名欣;  渠宏伟;  陈 微;  周文君;  陈良惠
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光子晶体啁啾波导慢光边发射激光器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-27, 2010-08-12
发明人:  郑婉华;  邢名欣;  任 刚;  刘安金;  陈 微;  周文君;  陈良惠
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采用光子晶体微腔和晶片键合技术实现电注入的单光子源 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-08-05, 公开日期: 4003
发明人:  郑婉华;  刘安金;  任 刚;  邢名欣;  渠宏伟;  陈良惠 
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高偏振单偶极模的光子晶体微腔结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-08-05, 公开日期: 4003
发明人:  郑婉华;  陈 微;  邢名欣;  任 刚;  周文君;  刘安金;  陈良惠 
Adobe PDF(925Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1164/206  |  提交时间:2010/03/19
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhu NH (Zhu Ning Hua);  Zhang HG (Zhang Hong Guang);  Man JW (Man Jiang Wei);  Zhu HL (Zhu Hong Liang);  Ke JH (Ke Jian Hong);  Liu Y (Liu Yu);  Wang X (Wang Xin);  Yuan HQ (Yuan Hai Qing);  Xie L (Xie Liang);  Wang W (Wang Wei);  Zhu, NH, Chinese Acad Sci, State Key Lab Integrated Optoelect, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: nhzhu@semi.ac.cn
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AlInGaN四元合金的MOCVD生长及InGaN/AlInGaN LED器件性能研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者:  刘乃鑫
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu YX (Wu Yu-Xin);  Zhu JJ (Zhu Jian-Jun);  Zhao DG (Zhao De-Gang);  Liu ZS (Liu Zong-Shun);  Jiang DS (Jiang De-Sheng);  Zhang SM (Zhang Shu-Ming);  Wang YT (Wang Yu-Tian);  Wang H (Wang Hui);  Chen GF (Chen Gui-Feng);  Yang H (Yang Hui);  Zhu, JJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jjzhu@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu Y (Liu Yu);  Chen SF (Chen ShuoFu);  Wang X (Wang Xin);  Yuan HQ (Yuan HaiQing);  Liang X (Liang, Xie);  Zhu NH (Zhu NingHua);  Liu, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yliu@semi.ac.cn;  nhzhu@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  陈淑文;  朱桂新;  于天宝;  廖清华;  刘念华;  黄永箴
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TO封装的垂直腔面发射激光器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  徐桂芝;  王欣;  刘超;  祝宁华
Adobe PDF(377Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1158/199  |  提交时间:2009/06/11