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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhang YB (Zhang Yanbo); Xiong Y (Xiong Ying); Yang XA (Yang Xiang); Wang Y (Wang Ying); Han WH (Han Weihua); Yang FH (Yang Fuhua); Han, WH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Res Ctr Semicond Integrat Technol, Beijing 100083, Peoples R China.
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| 依赖晶面的三维限制硅纳米结构的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810224109.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 杨香; 韩伟华; 王颖; 张杨; 杨富华
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| 氢气调制本征层能带结构优化非晶硅太阳电池及制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102176496A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-09-07, 2012-09-07
发明人: 彭文博; 曾湘波; 刘石勇; 姚文杰; 谢小兵; 肖海波; 杨萍; 王超; 俞育德
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| 半导体晶体管结构及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102280454A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-12-14, 2012-09-07
发明人: 张严波; 韩伟华; 杜彦东; 李小明; 陈艳坤; 杨香; 杨富华
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| 基于脉冲耦合的硅纳米线CMOS神经元电路 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910091405.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31
发明人: 韩伟华; 熊莹; 赵凯; 杨香; 张严波; 王颖; 杨富华
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| 具有低特征导通电阻的SiC VDMOSFET结构及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人: 王进泽; 杨香; 颜伟; 刘胜北; 赵继聪; 何志; 王晓东; 杨富华
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| 一种制备图形化多孔硅结构的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-03-19
发明人: 赵永梅; 杨香; 季安; 张明亮; 韩国威; 宁瑾; 王晓东; 杨富华
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| 一种低量程高灵敏度MEMS压力传感器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-03-19
发明人: 赵永梅; 季安; 张明亮; 杨香; 宁瑾; 王晓东; 杨富华
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| 材料扩散互溶实现碳化硅键合的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人: 赵永梅; 何志; 季安; 刘胜北; 黄亚军; 杨香; 段瑞飞; 张明亮; 王晓东; 杨富华
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| 基于锥形衬底的相变存储器的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人: 付英春; 马刘红; 杨富华; 王晓峰; 周亚玲; 杨香; 王晓东
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