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生长氧化物薄膜的金属有机物化学气相沉积反应室结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  丛光伟;  刘祥林;  董向芸;  魏宏源;  王占国
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硅纳米线的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  曾湘波;  廖显伯;  刁宏伟;  向贤碧;  孔光临;  徐艳月
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用于电调制光致发光光谱测量的样品架 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  丛光伟;  彭文琴;  吴洁君;  魏宏源;  刘祥林;  王占国
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在硅衬底上生长氮化镓自支撑衬底材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘祥林;  焦春美;  于英仪;  赵凤瑗
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应变调制掺杂法制备P型氧化锌半导体薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘祥林;  赵凤瑗;  焦春美;  于英仪
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平板式电极结构 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2006-02-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刁宏伟;  廖显伯;  曾湘波;  郝会颖;  徐艳月;  张世斌;  胡志华
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在解理面上制作半导体纳米结构的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈涌海;  张春玲;  崔草香;  徐波;  金鹏;  刘峰奇;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu Y (Xu Ying);  Diao HW (Diao Hong-Wei);  Hao HY (Hao Hui-Ying);  Zeng XB (Zeng Xiang-Bo);  Liao XB (Liao Xian-Bo);  Xu, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Lab Surface Phys, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gan Y (Gan Yu);  Xiang WH (Xiang Wang-Hua);  Zhou XF (Zhou Xiao-Fang);  Zhang GZ (Zhang Gui-Zhong);  Zhang B (Zhang Bing);  Wang YG (Wang Yong-Gang);  Ma XY (Ma Xiao-Yu);  Gan, Y, Tianjin Univ, Key Lab Optoelect Informat & Tech Sci, Minist Educ, Tianjin 300072, Peoples R China. E-mail: rainmangy@yahoo.com.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  张燕;  龚海梅;  白云;  陈亮;  许金通;  汤英文;  游达;  赵德刚;  郭丽伟;  李向阳
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