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单光路量子效率测试系统 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-04-01, 公开日期: 3990
发明人:  刘 磊;  陈诺夫;  曾湘波;  张 汉;  吴金良;  高福宝
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利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010157517.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  郑高林;  杨安丽;  宋华平;  郭严;  魏鸿源;  刘祥林;  朱勤生;  杨少延;  王占国
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一种生长高质量富In组分InGaN薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010157637.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  郭严;  宋华平;  郑高林;  魏鸿源;  刘祥林;  朱勤生;  杨少延;  王占国
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一种功率可变的模拟激光源 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-28
发明人:  李冬梅;  赵向凯;  张观欣;  杨志卿;  高瑀含;  姜波
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