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用于电吸收调制半导体激光器高频封装的热沉 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-02-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李宝霞;  张靖;  杨华;  王圩
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宽光谱、大功率的半导体超辐射发光二极管及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-10-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李宝霞;  张靖;  赵玲娟;  王圩
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选择区域外延生长叠层电吸收调制激光器结构的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  朱洪亮;  李宝霞;  张靖;  王圩
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紫外激光写入制备高折射率差二氧化硅波导的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  夏君磊;  吴远大;  安俊明;  郜定山;  李健;  龚春娟;  胡雄伟
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采用非平面工艺实现硅基二氧化硅波导偏振无关的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-09-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  安俊明;  李健;  郜定山;  夏君磊;  李建光;  王红杰;  胡雄伟
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电吸收调制分布反馈半导体激光器件的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  胡小华;  李宝霞;  朱洪亮;  王圩
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实现对称结构硅基二氧化硅应力光波导偏振不灵敏的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-01-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  安俊明;  李健;  郜定山;  夏君磊;  李建光;  王红杰;  胡雄伟
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半导体光发射与探测耦合组件 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 1994-11-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  夏永伟;  滕学公;  李国花;  樊志军
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一种硅的光探测器件 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 1994-04-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  夏永伟;  李国花;  滕学公;  樊志军
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一种制作纳米压印印章的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010139179.0, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  刘宏伟;  阚强;  王春霞;  陈弘达
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