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| 无权访问的条目 学位论文
作者: 王小耶
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| 硫、碲超饱和掺杂硅材料的制备、表征和光电器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2013
作者: 王熙元
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| 具有宽光谱响应的硅探测器结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102290481A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 刘德伟; 黄永光; 朱小宁; 王熙元; 马丽; 朱洪亮
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| 具有红外响应的表面纳米点硅光电探测器结构的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102227005A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 刘德伟; 黄永光; 朱小宁; 王熙元; 马丽; 朱洪亮
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| 广谱吸收的非晶硅黑硅异质结太阳能电池结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102280513A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 黄永光; 朱小宁; 刘德伟; 王熙元; 马丽; 朱洪亮
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| 硅基高晶体质量InAsSb平面纳米线的生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人: 杨涛; 杜文娜; 杨晓光; 王小耶; 季祥海; 王占国
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| 在硅片上制作八边形微孔的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-10-24
发明人: 黄永光; 王熙元; 刘德伟; 朱小宁; 王宝军; 朱洪亮
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| 一种双维度上克服衍射极限的等离子体激光器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-08-22
发明人: 郑婉华; 付非亚; 王宇飞; 晏新宇; 周文君; 陈微
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| 一种等离子体耦合模式激光器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-12
发明人: 郑婉华; 付非亚; 王宇飞; 晏新宇; 周文君; 陈微
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| 直接在Si衬底上自催化生长InAsSb纳米线的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-23
发明人: 杜文娜; 杨晓光; 王小耶; 杨涛; 王占国
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