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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li RY (Li R. Y.);  Wang ZG (Wang Z. G.);  Xu B (Xu B.);  Jin P (Jin P.);  Guo X (Guo X.);  Chen M (Chen M.);  Li, RY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: ryli@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun, Z (Sun, Z.);  Yang, XD (Yang, X. D.);  Sun, BQ (Sun, B. Q.);  Ji, Y (Ji, Y.);  Zhang, SY (Zhang, S. Y.);  Ni, HQ (Ni, H. Q.);  Niu, ZC (Niu, Z. C.);  Xu, ZY (Xu, Z. Y.);  Sun, Z, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlatt & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: sz3288@red.semi.ac.cn;  ji_ym@mail.sic.ac.cn;  zyxu@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao, H (Zhao, H.);  Xu, YQ (Xu, Y. Q.);  Ni, HQ (Ni, H. Q.);  Zhang, SY (Zhang, S. Y.);  Han, Q (Han, Q.);  Du, Y (Du, Y.);  Yang, XH (Yang, X. H.);  Wu, RH (Wu, R. H.);  Niu, ZC (Niu, Z. C.);  Zhao, H, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhaohuan@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu XG (Wu X. G.);  Xu LJ (Xu L. J.);  Zheng HZ (Zheng H. Z.);  Wu, XG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, SKLSM, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang XR (Yang X. R.);  Xu B (Xu B.);  Wang ZG (Wang Z. G.);  Jin P (Jin P.);  Liang P (Liang P.);  Hu Y (Hu Y.);  Sun H (Sun H.);  Chen YH (Chen Y. H.);  Liu FL (Liu F. L.);  Yang, XR, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: yangxr@mail.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen YH (Chen Y. H.);  Ye XL (Ye X. L.);  Xu B (Xu B.);  Wang ZG (Wang Z. G.);  Yang Z (Yang Z.);  Chen, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Tan PH (Tan P. H.);  Luo XD (Luo X. D.);  Xu ZY (Xu Z. Y.);  Zhang Y (Zhang Y.);  Mascarenhas A (Mascarenhas A.);  Xin HP (Xin H. P.);  Tu CW (Tu C. W.);  Ge WK (Ge W. K.);  Tan, PH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: pinghengtan@hotmail.com;  yong_zhang@nrel.gov
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Nonradiative recombination effect on photoluminescence decay dynamics in GaInNAs/GaAs quantum wells - art. no. 61180Z 会议论文
Ultrafast Phenomena in Semiconductors and Nanostructure Materials X丛书标题: PROCEEDINGS OF THE SOCIETY OF PHOTO-OPTICAL INSTRUMENTATION ENGINEERS (SPIE), San Jose, CA, JAN 23-25, 2006
作者:  Sun, Z (Sun, Z.);  Xu, ZY (Xu, Z. Y.);  Yang, XD (Yang, X. D.);  Sun, BQ (Sun, B. Q.);  Ji, Y (Ji, Y.);  Zhang, SY (Zhang, S. Y.);  Ni, HQ (Ni, H. Q.);  Niu, ZC (Niu, Z. C.);  Sun, Z, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China.
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Gainnas/gaas Quantum Wells  Optical Properties  Nonradiative Recombination Effect  Time-resolved Photoluminescence  Pl Decay Dynamics  Pl Thermal Quenching  Molecular-beam Epitaxy  Gaasn Alloys  Excitation  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘舒曼;  徐征;  刘峰奇;  徐叙？
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