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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研究... [4]
作者
杨晓红 [1]
文献类型
会议论文 [2]
专利 [1]
期刊论文 [1]
发表日期
2007 [4]
语种
英语 [3]
中文 [1]
出处
OPTICS COM... [1]
Physica St... [1]
Silicon Ca... [1]
资助项目
收录类别
CPCI-S [2]
SCI [1]
资助机构
II VI Inc.... [1]
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发表日期:2007
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WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
发表日期升序
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砷化镓基1.5微米量子阱结构及其外延生长方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
牛智川
;
倪海桥
;
韩勤
;
张石勇
;
吴东海
;
赵欢
;
杨晓红
;
彭红玲
;
周志强
;
熊永华
;
吴荣汉
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Lu, X
;
Han, P
;
Quan, Y
;
Ran, Q
;
Gao, L
;
Zeng, F
;
Zhao, C
;
Yu, J
;
Lu, X, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optelect, Beijing, Peoples R China. 电子邮箱地址: lxd2211@sina.com
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提交时间:2010/03/08
Micro-raman investigation of defects in a 4H-SiC homoepilayer
会议论文
Silicon Carbide and Related Materials 2006丛书标题: MATERIALS SCIENCE FORUM, Newcastle upon Tyne, ENGLAND, SEP, 2006
作者:
Liu, XF (Liu, X. F.)
;
Sun, GS (Sun, G. S.)
;
Li, JM (Li, J. M.)
;
Zhao, YM (Zhao, Y. M.)
;
Li, JY (Li, J. Y.)
;
Wang, L (Wang, L.)
;
Zhao, WS (Zhao, W. S.)
;
Luo, MC (Luo, M. C.)
;
Zeng, YP (Zeng, Y. P.)
;
Liu, XF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1311/197
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提交时间:2010/03/29
Micro-raman
4h-sic
Defects
3c-inclusions
Triangle-shaped Inclusion
Epitaxial Layers
Silicon-carbide
Vertical PIN ultraviolet photodetectors based on 4H-SiC homoepilayers
会议论文
Physica Status Solidi C - Current Topics in Solid State Physics丛书标题: PHYSICA STATUS SOLIDI C-CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Vancouver, CANADA, AUG 13-17, 2006
作者:
Liu, XF (Liu, X. F.)
;
Sun, GS (Sun, G. S.)
;
Li, JM (Li, J. M.)
;
Ning, J (Ning, J.)
;
Zhao, YM (Zhao, Y. M.)
;
Luo, MC (Luo, M. C.)
;
Wang, L (Wang, L.)
;
Zhao, WS (Zhao, W. S.)
;
Zeng, YP (Zeng, Y. P.)
;
Liu, XF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Avalanche Photodiodes
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