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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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作者
许兴胜 [2]
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文献类型
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2006 [5]
2005 [1]
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专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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无权访问的条目
期刊论文
作者:
Lu, X
;
Han, P
;
Quan, Y
;
Ran, Q
;
Gao, L
;
Zeng, F
;
Zhao, C
;
Yu, J
;
Lu, X, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optelect, Beijing, Peoples R China. 电子邮箱地址: lxd2211@sina.com
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提交时间:2010/03/08
Micro-raman investigation of defects in a 4H-SiC homoepilayer
会议论文
Silicon Carbide and Related Materials 2006丛书标题: MATERIALS SCIENCE FORUM, Newcastle upon Tyne, ENGLAND, SEP, 2006
作者:
Liu, XF (Liu, X. F.)
;
Sun, GS (Sun, G. S.)
;
Li, JM (Li, J. M.)
;
Zhao, YM (Zhao, Y. M.)
;
Li, JY (Li, J. Y.)
;
Wang, L (Wang, L.)
;
Zhao, WS (Zhao, W. S.)
;
Luo, MC (Luo, M. C.)
;
Zeng, YP (Zeng, Y. P.)
;
Liu, XF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1321/197
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提交时间:2010/03/29
Micro-raman
4h-sic
Defects
3c-inclusions
Triangle-shaped Inclusion
Epitaxial Layers
Silicon-carbide
Vertical PIN ultraviolet photodetectors based on 4H-SiC homoepilayers
会议论文
Physica Status Solidi C - Current Topics in Solid State Physics丛书标题: PHYSICA STATUS SOLIDI C-CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Vancouver, CANADA, AUG 13-17, 2006
作者:
Liu, XF (Liu, X. F.)
;
Sun, GS (Sun, G. S.)
;
Li, JM (Li, J. M.)
;
Ning, J (Ning, J.)
;
Zhao, YM (Zhao, Y. M.)
;
Luo, MC (Luo, M. C.)
;
Wang, L (Wang, L.)
;
Zhao, WS (Zhao, W. S.)
;
Zeng, YP (Zeng, Y. P.)
;
Liu, XF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Avalanche Photodiodes
Area
Homoepitaxial growth and characterization of 4H-SiC epilayers by low-pressure hot-wall chemical vapor deposition
会议论文
Silicon Carbide and Related Materials 2005丛书标题: MATERIALS SCIENCE FORUM, Pittsburgh, PA, SEP 18-23, 2005
作者:
Sun, GS (Sun, Guosheng)
;
Ning, J (Ning, Jin)
;
Gong, QC (Gong, Quancheng)
;
Gao, X (Gao, Xin)
;
Wang, L (Wang, Lei)
;
Liu, XF (Liu, Xingfang)
;
Zeng, YP (Zeng, Yiping)
;
Li, JM (Li, Jinmin)
;
Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Homoepitaxial Growth
Low-pressure Hot-wall Cvd
Structural And Optical Characteristics
Intentional Doping
Schottky Barrier Diodes
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Sun GS (Sun G. S.)
;
Liu XF (Liu X. F.)
;
Gong QC (Gong Q. C.)
;
Wang L (Wang L.)
;
Zhao WS (Zhao W. S.)
;
Li JY (Li J. Y.)
;
Zeng YP (Zeng Y. P.)
;
Li JM (Li J. M.)
;
Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: gshsun@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/04/11
Morphological defects and uniformity issues of 4H-SiC homoepitaxial layers grown on off-oriented (0001)Si faces
会议论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 13-19, 2005
作者:
Sun, GS (Sun, G. S.)
;
Liu, XF (Liu, X. F.)
;
Gong, QC (Gong, Q. C.)
;
Wang, L (Wang, L.)
;
Zhao, WS (Zhao, W. S.)
;
Li, JY (Li, J. Y.)
;
Zeng, YP (Zeng, Y. P.)
;
Li, JM (Li, J. M.)
;
Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: gshsun@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/29
4h-sic
无权访问的条目
期刊论文
作者:
杜伟
;
许兴胜
;
孙增辉
;
鲁琳
;
高俊华
;
赵致民
;
王春霞
;
陈弘达
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浏览/下载:872/228
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
许兴胜
;
熊志刚
;
孙增辉
;
杜伟
;
鲁琳
;
陈弘达
;
金爱子
;
张道中
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浏览/下载:888/268
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
曾华林
;
左昉
;
谢福增
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浏览/下载:1108/370
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提交时间:2010/11/23
垂直腔面发射激光器列阵的并行光发射模块及制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-09-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
陈弘达
;
申荣铉
;
毛陆虹
;
唐君
;
裴为华
;
高鹏
;
崔增文
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提交时间:2009/06/11