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在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12
发明人:  王鹏飞;  吴东海;  吴兵朋;  熊永华;  詹 峰;  黄社松;  倪海桥;  牛智川
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倒锥波导耦合器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-27, 2010-08-12
发明人:  尹小杰;  王 玥;  吴远大;  安俊明;  李建光;  王红杰;  胡雄伟
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连续可调纳秒级窄脉冲半导体激光器模块 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-02-03, 2010-08-12
发明人:  陈彦超;  赵柏秦;  吴铁中;  任岩峰;  韩 海
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Tung LC (Tung L. -C.);  Wu XG (Wu X. -G.);  Pfeiffer LN (Pfeiffer L. N.);  West KW (West K. W.);  Wang YJ (Wang Y. -J.);  Tung, LC, Natl High Magnet Field Lab, Tallahassee, FL 32310 USA. 电子邮箱地址: tung@magnet.fsu.edu
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhai Y (Zhai Yao);  Chen SW (Chen Shao-Wu);  Ren GH (Ren Guang-Hui);  Zhai, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhaiyao_zeal@yahoo.com.cn
Adobe PDF(580Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:989/222  |  提交时间:2010/11/02
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang C (Yang C.);  Cui GX (Cui G. X.);  Huang YY (Huang Y. Y.);  Wu L (Wu L.);  Yang H (Yang H.);  Zhang YH (Zhang Y. H.)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Deng Y;  Zhao DG;  Wu LL;  Liu ZS;  Zhu JJ;  Jiang DS;  Zhang SM;  Liang JW;  Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. dgzhao@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(853Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1272/230  |  提交时间:2011/07/05
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Shiratori Y (Shiratori Yuta);  Miura K (Miura Kensuke);  Jia R (Jia Rui);  Wu NJ (Wu Nan-Jian);  Kasai S (Kasai Seiya);  Shiratori, Y, Hokkaido Univ, Res Ctr Integrated Quantum Elect, North 13,West 8, Sapporo, Hokkaido 0608628, Japan.E-mail Address: siratori@rciqe.hokudai.ac.jp
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  郭浩;  吴评;  于天宝;  廖清华;  刘念华;  黄永箴
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  李元金;  张万成;  吴南健
Adobe PDF(1469Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1163/297  |  提交时间:2011/08/04