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Si(111)衬底上GaN薄膜的生长及应变调控研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者:  吴玉新
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu YX (Wu Yu-Xin);  Zhu JJ (Zhu Jian-Jun);  Zhao DG (Zhao De-Gang);  Liu ZS (Liu Zong-Shun);  Jiang DS (Jiang De-Sheng);  Zhang SM (Zhang Shu-Ming);  Wang YT (Wang Yu-Tian);  Wang H (Wang Hui);  Chen GF (Chen Gui-Feng);  Yang H (Yang Hui);  Zhu, JJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jjzhu@red.semi.ac.cn
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制备硅基带边发光以及非线性电光材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-04-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张建国;  王晓欣;  丁武昌;  成步文;  余金中;  王启明
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  魏珂;  刘新宇;  和致经;  吴德馨
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  邵刚;  刘新宇;  和致经;  刘健;  魏珂;  陈晓娟;  吴德馨;  王晓亮;  陈宏
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  陈晓娟;  刘新宇;  和致经;  刘键;  邵刚;  魏珂;  吴德馨;  王晓亮;  周钧铭;  陈宏
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘新宇;  孙海峰;  刘洪民;  陈焕章;  扈焕章;  海潮和;  和致经;  吴德馨
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘新宇;  刘运龙;  孙海锋;  吴德馨;  和致经;  刘忠立
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘新宇;  孙海峰;  陈焕章;  扈焕章;  海潮和;  刘忠立;  和致经;  吴德馨
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘新宇;  韩郑生;  周小茵;  海潮和;  刘忠立;  吴德馨
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