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一种量子点材料结构及其生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  焦玉恒;  吴巨;  徐波;  金鹏;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  梁志梅;  吴巨;  金鹏;  吕雪芹;  王占国
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铟砷/镓砷量子点的分子束外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-03-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  吴巨;  王宝强;  朱战平;  曾一平
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以原位垂直超晶格为模板定位生长量子线或点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王元立;  吴巨;  金鹏;  叶小玲;  张春玲;  黄秀颀;  陈涌海;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang YL (Wang Yuanli);  Cui H (Cui Hua);  Lei W (Lei Wen);  Su YH (Su Yahong);  Chen YH (Chen Yonghai);  Wu J (Wu Ju);  Wang ZG (Wang Zhanguo);  Wang, YL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yuanli.wang@axt.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu Ju;  Wang Zhanguo
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  武莉莉;  冯良桓;  蔡伟;  张静全;  蔡亚平;  郑家贵;  朱居木;  陈诺夫
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  范缇文;  吴巨;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  张砚华;  范缇文;  陈延杰;  吴巨;  陈诺夫;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  吴巨;  何宏家;  范缇文;  王占国
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