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| 具有外加磁场的深能级瞬态谱样品台装置及其测量方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 卢励吾; 张砚华; 葛惟昆
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| 探测半导体能带结构高阶临界点的新方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 谭平恒 ; 徐仲英; 罗向东; 葛惟昆
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Cui XD (Cui Xiao-Dong); Shen SQ (Shen Shun-Qing); Li J (Li Jian); Ji Y (Ji Yang); Ge WK (Ge Weikun); Zhang FC (Zhang Fu-Chun); Shen, SQ, Univ Hong Kong, Dept Phys, Hong Kong, Hong Kong, Peoples R China. 电子邮箱地址: sshen@hkucc.hku.hk
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 杨春雷; 王建农; 葛惟锟; 崔利杰; 曾一平
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| 具有外加磁场的深能级瞬态谱测量装置与测量方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 卢励吾; 张砚华; 葛惟昆
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 杨旭东; 徐仲英; 罗向东; 方再历; 李国华; 苏荫强; 葛惟昆
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| 带有外加磁场的深能级测量样品架装置 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2004-10-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 卢励吾; 张砚华; 葛惟昆
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 方再利; 苏付海; 马宝珊; 丁琨; 韩和相; 李国华; 苏萌强; 葛惟锟
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| 半导体材料电信号测试装置 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2003-07-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 张砚华; 卢励吾; 葛惟昆
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 方再利; 葛惟锟; 苏付海; 马宝珊; 刘南竹; 朱作明; 丁琨; 韩和相; 李国华; 苏萌强
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