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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li B (Li Bin);  Yang HW (Yang Huai-Wei);  Gui Q (Gui Qiang);  Yang XH (Yang Xiao-Hong);  Wang J (Wang Jie);  Wang XP (Wang Xiu-Ping);  Liu SQ (Liu Shao-Qing);  Han Q (Han Qin)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hu WX (Hu Wei-Xuan);  Cheng BW (Cheng Bu-Wen);  Xue CL (Xue Chun-Lai);  Su SJ (Su Shao-Jian);  Wang QM (Wang Qi-Ming)
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GeSn合金的外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910088391.6, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  成步文;  薛春来;  左玉华;  汪巍;  胡炜玄;  苏少坚;  白安琪;  薛海韵
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在Si衬底上分子束外延生长GeSn合金的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010231169.X, 公开日期: 2011-08-30, 2011-08-30, 2011-08-30
发明人:  苏少坚;  汪巍;  成步文;  王启明;  张广泽;  胡炜玄;  白安琪;  薛春来;  左玉华
Adobe PDF(307Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1337/110  |  提交时间：2011/08/30