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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 张连; 魏学成; 路坤熠; 魏同波; 王军喜; 李晋闽
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 苏少坚 ; 汪巍; 张广泽; 胡炜玄; 白安琪; 薛春来; 左玉华; 成步文; 王启明
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 苏少坚; 汪巍; 胡炜玄; 张广泽; 薛春来; 左玉华; 成步文; 王启明
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| 硅基高量子效率共振腔增强型探测器及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 毛容伟; 滕学公; 李传波; 左玉华; 罗丽萍; 成步文; 于金中; 王启明
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 毛容伟; 成步文; 李传波; 左玉华; 滕学公; 罗丽萍; 余金中; 王启明
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 成步文; 姚飞; 薛春来; 张建国; 李传波; 毛容伟; 左玉华; 罗丽萍; 王启明
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| 提高电子注入效率的氮化镓基发光二极管 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102185056A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 马平; 王军喜; 魏学成; 曾一平; 李晋闽
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| GeSn合金的外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910088391.6, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 成步文; 薛春来; 左玉华; 汪巍; 胡炜玄; 苏少坚; 白安琪; 薛海韵
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| 一种高锗组分锗硅虚衬底的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010183385.1, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 胡炜玄; 成步文; 薛春来; 张广泽; 王启明
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| 在Si衬底上分子束外延生长GeSn合金的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010231169.X, 公开日期: 2011-08-30, 2011-08-30, 2011-08-30
发明人: 苏少坚; 汪巍; 成步文; 王启明; 张广泽; 胡炜玄; 白安琪; 薛春来; 左玉华
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