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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: ZHENGLIANG REN; QIANG KAN; GUANGZHAO RAN; CHAOYUAN JIN; LIJUN YUAN; XINGYUAN WANG; LI TAO; HONGYAN YU; LIANXUE ZHANG; WEIXI CHEN; KE HE; REN-MIN MA; JIAOQING PAN; WEI WANG
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Jinling Yu; Xiaolin Zeng; Liguo Zhang; Ke He; Shuying Cheng; Yunfeng Lai; Wei Huang; Yonghai Chen; Chunming Yin; Qikun Xue
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Kong, Xin; Wei, Ke; Liu, Guoguo; Liu, Xinyu; Wang, Cuimei; Wang, Xiaoliang
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| 一种硅基III-V族nMOS器件的制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-15
发明人: 周旭亮; 于红艳; 李梦珂; 潘教青; 王圩
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| 硅基高迁移率InGaAs沟道的环栅MOSFET制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-10-09
发明人: 周旭亮; 于红艳; 李梦珂; 潘教青; 王圩
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| 一种硅基微腔激光器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人: 周旭亮; 于红艳; 李梦珂; 潘教青; 王圩
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| 偏[111]晶向锗单晶片位错显示用腐蚀液及腐蚀方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22
发明人: 曹可慰; 赵有文
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