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| 硅基水平III-V族纳米线晶体管的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2017
作者: 张望
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纳米线晶体管 Soi图形衬底 水平iii-v族纳米线 界面态 变温电学特性 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 张奇; 赵懿昊; 董振; 王翠鸾; 李伟; 刘素平; 马骁宇
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Li, Y.Q.; Wang, X.D.; Xu, X.N.; Liu, W.; Yang, F.H.; Zeng, Y.P.; Wang, X.D.(xdwang@semi.ac.cn)
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| 一种微光学陀螺Sagnac效应光波导芯片及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-09-10
发明人: 杨添舒; 刘雯; 时彦朋; 马静; 张端; 郑婉华; 王晓东; 杨富华
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| 半导体薄膜太阳能电池前后表面的陷光结构制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-21
发明人: 时彦朋; 王晓东; 刘雯; 杨添舒; 马静; 杨富华
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| 具有减反射膜的太阳能电池元件及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-04-30
发明人: 杨添舒; 刘雯; 时彦朋; 马静; 王晓东; 杨富华
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| 半导体薄膜太阳能电池前后表面的混合陷光结构制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-21
发明人: 时彦朋; 王晓东; 刘雯; 杨添舒; 杨富华
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| 具有低特征导通电阻的SiC VDMOSFET结构及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人: 王进泽; 杨香; 颜伟; 刘胜北; 赵继聪; 何志; 王晓东; 杨富华
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| 将薄膜太阳电池器件粘附在其他衬底上的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人: 马静; 刘雯; 杨添舒; 时彦朋; 杨富华; 王晓东
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| 在GaAs衬底上制备金属纳米颗粒的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102433529A, 公开日期: 2012-09-07, 2012-05-02, 2012-09-07
发明人: 刘雯; 王晓东; 程凯芳 ; 马慧丽; 王晓峰; 徐锐; 杨富华
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